中芯CEO张汝京首次透露:今年3月90纳米芯片量产2月9日，中芯国际CEO张汝京今天出面澄清有关中芯折旧开支问题时透露，公司将在今年3月开始投入90纳米产品的量产。 张汝京称，中芯致力降低设备折旧的开支，但是由于是新成立的代工厂，而且营运只有四年，加上产能需要不断的扩充，因此中芯的折旧开支相对收益比率处于代工厂中最高者之一。 张汝京表示，为了达到转亏为盈的目标，中芯将改进产品组合，通过提高产品的平均售价来提高整体的利润。 今年1月6日，中芯国际与英飞凌和签署合作协议，进一步扩展在标准记忆芯片（DRAM）产品生产领域中的现有合作，开始90纳米标准的产品合作生产。根据新协议，英飞凌将把自己最尖端的90纳米DRAM沟槽技术和300毫米产品生产技术转让于中芯国际，并可在未来期间灵活进行其70纳米技术的进一步转让。 虽然3月就将开始90纳米产品的量产，但是张汝京预计真正能产生实质的收益至少要到第二季度。 中芯国际去年全年共计亏损1.11亿美元，张汝京此前表示今年第3季起可以盈利。 |
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